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ONSEMI BSR58 JFETS, JUNCTION FIELD EFFECT (3 Angebote) Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 40 V Gate-Source-Sperrspannung, max.: 4 V Kanaltyp: n-Kanal Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: SO... |
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ab € 0,0644*
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ONSEMI MMBFJ112 JFETS, JUNCTION FIELD EFFECT (1 Angebot) Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35 V Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5 V Kanaltyp: n-Kanal Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: ... |
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ab € 0,0617*
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Superconducting Electronics (1 Angebot) The genesis of the NATO Advanced Study Institute (ASI) upon which this volume is based, occurred during the summer of 1986 when we came to the realization that there had been significant progress d... |
Springer Verlag 9783642838873 |
€ 99,99*
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Nanoelektronik (1 Angebot) Prof. Dr.-Ing. Alexander Klös lehrt an der Technischen Hochschule Mittelhessen im Fachbereich Elektro- und Informationstechnik und ist Mitglied im Kompetenzzentrum Nanotechnik und Photonik. |
Carl Hanser Verlag 9783446478992 |
€ 37,37*
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ALLNET 113674 Transistor N JFET (3 Angebote) Bei dem n-Kanal-JFET (junction FET) wird der Strom durch der Source Drain Strecke durch die Spannung am Gate gesteuert. Beim n-Kanal-JFET ist dies eine negative Spannung. Wird die Spannung positiv ... |
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ab € 5,28*
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Bauelemente der Halbleiter-Elektronik (1 Angebot) Physikalische Größen.- 1 Dioden.- 1.1 Kennlinie und Impedanz.- 1.2 Schaltverhalten.- 1.3 Rauschen.- 1.4 Ausführungsformen von Gleichrichterdioden.- 1.5 pin-Diode.- 1.6 p+sn+-Leistungsgleichrichter.... |
Springer Verlag 9783540544890 |
€ 46,72*
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onsemi N-Kanal JFET RF Amplifier, 30 V, 13 mA, TO-92, BF256B (2 Angebote) Junction FETs Reihe BF. Spannung (VDS): ±30 V, Leistung: 300 mW, Gehäuse: TO92. Technische Merkmale (Typ, Strom (ID), Hersteller): BF256B, 6,0 bis 13 mA, Fairchild Semiconductors |
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ab € 0,103*
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