12a  (26.746 Angebote unter 27.649.648 Artikeln)

Print-Leistungsrelais, Typ=5-1393239-5, Alternative (Alias)=RT214024, Breite=12.7 mm, Höhe=15.7 mm, Länge=29 mm, Schaltleistung=3 kVA, Schaltspannung – AC=400 V, Schaltspannung – DC=-888, Schaltstr...

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 270ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,3Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 180...

Print-Leistungsrelais, Typ=1-1393239-3, Alternative (Alias)=RT114024, Breite=12.7 mm, Höhe=16.2 mm, Länge=29 mm, Schaltleistung=3 kVA, Schaltspannung – AC=250 V, Schaltspannung – DC=-888, Schaltstr...

Einbausteckverbinder, Leistung, 4-polig, Stecker, M12, L - Power, Hinterwandmontage, M16 x 1,5, Einzellitzen, Kabellänge: 0,2 m, 1,31 mm², UL/cUL Schaltlitze

Hersteller: VISHAY Montage: Schrauben Gehäuse: DO4;DO203AA Montagegewinde: 10-32UNF-2A Rückspannung max.: 100V Vorwärtsstrom max.: 19A Vorwärtsspannung max.: 1,26V Vorwärtsstrom: 12A Struktur des H...

Print-Leistungsrelais, Typ=1-1415899-1, Alternative (Alias)=RZ01-1C4-D024, Breite=12.7 mm, Höhe=15.7 mm, Länge=29 mm, Schaltleistung=3 kVA, Schaltspannung – AC=400 V, Schaltspannung – DC=-999, Scha...

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,104Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 48W Polarisierung: unipolar ...

Induktivität, SMD 1005, Typ=744325330, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-40 °C, Breite=10.2 mm, Eigenresonanzfrequenz=54 MHz, Höhe=4.7 mm, Induktivität=3.3 µH, Länge=10.2 m...

Hersteller: NTE Electronics Montage: THT Gehäuse: TO220FP Frequenz: 20MHz Kollektor-Emitter-Spannung: 400V Transistorverstärkung: 10...50 Kollektor-Emitter-Strom: 12A Transistor-Typ: NPN Verlustlei...

Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 270ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,3Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 180W ...

Hersteller: VISHAY Montage: Schrauben Gehäuse: DO4;DO203AA Montagegewinde: 10-32UNF-2A Rückspannung max.: 0,8kV Vorwärtsstrom max.: 19A Vorwärtsspannung max.: 1,26V Vorwärtsstrom: 12A Struktur des ...

Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: TO220AB Frequenz: 4MHz Kollektor-Emitter-Spannung: 400V Transistorverstärkung: 15...28 Kollektor-Emitter-Strom: 12A Transistor-Typ: NPN Verlustleistung: 100...

Montage-Typ = Schraubmontage Gehäusegröße = DO-203AA Dauer-Durchlassstrom max. = 12A Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1000V Diodenkonfiguration = Kathoden-Bolzen Gleichrichter-Typ = Universal Dio...

Hersteller: WeEn Semiconductors Montage: THT Gehäuse: TO220AB Kollektor-Emitter-Spannung: 400V Transistorverstärkung: 8...40 Kollektor-Emitter-Strom: 12A Transistor-Typ: NPN Verlustleistung: 80W Po...

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 270ns Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,3Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 180...