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  MOSFET Transistormodule (304 Artikel)

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Modul; Diode/Transistor; 1,2kV; 108A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 280A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 108A Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ Verlustleistung: 600W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100MC120JCU2
ab € 277,90*
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 Stück
Modul; Diode/Transistor; 1,2kV; 54A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 140A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 54A Widerstand im Leitungszustand: 34mΩ Verlustleistung: 300W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50MC120JCU2
ab € 113,14*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 100V; 106A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 576A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 106A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustleistung: 450W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M11JVRU2
ab € 30,94*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 100V; 106A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 576A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 106A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustleistung: 450W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M11JVRU3
ab € 31,00*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 207A Widerstand im Leitungszustand: 5mΩ Verlustleistung: 780W Elekt...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM10DAM05TG
ab € 106,98*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 207A Widerstand im Leitungszustand: 5mΩ Verlustleistung: 780W Elekt...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM10SKM05TG
ab € 106,46*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 1kV; 20A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 140A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 396mΩ Verlustleistung: 543W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT26M100JCU2
ab € 37,41*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 1kV; 20A; ISOTOP; Topologie: buck chopper (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 396mΩ Verlustleistung: 543W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT26M100JCU3
ab € 37,44*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 1kV; 33A; SP4; Idm: 172A; 780W; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 33A Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω Verlustleistung: 780W Elekt...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM100DA18TG
ab € 103,89*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP6C Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 49A Widerstand im Leitungszustand: 156mΩ Verlustleistung: 1,25kW El...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM100A13SG
ab € 281,40*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 155A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Verlustleistung: 781W Elek...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM20SKM08TG
ab € 105,21*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 155A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Verlustleistung: 781W Elek...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM20DAM08TG
ab € 105,16*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 15A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 104A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 672mΩ Verlustleistung: 543W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M120JCU2
ab € 39,13*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 15A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 104A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 672mΩ Verlustleistung: 543W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M120JCU3
ab € 39,18*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 72A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 388A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 72A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Verlustleistung: 450W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M22JVRU2
ab € 31,01*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 72A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 388A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 72A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Verlustleistung: 450W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M22JVRU3
ab € 31,12*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 130A; V2-Pack; Press-in PCB; 1,38kW (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V2-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Verlustleistung: 1,38kW Polarisierung: ...
IXYS
VUM85-05A
ab € 105,47*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 30A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 164A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 378W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010JLLU2
ab € 29,33*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 30A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 164A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 378W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010JLLU3
ab € 29,18*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 33A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 176A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 33A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 450W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010JVRU3
ab € 33,74*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 35A; V1-A-Pack; Idm: 95A; 36W; 350nC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Verlustleistung: 36W Polarisierung: u...
IXYS
VUM25-05E
ab € 31,92*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 39A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 204A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 39A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleistung: 290W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M75JLLU3
ab € 31,38*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 39A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 204A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 39A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleistung: 290W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M75JLLU2
ab € 31,44*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 43A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 270A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 43A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Verlustleistung: 543W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58M50JCU2
ab € 34,95*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 43A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 270A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 43A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Verlustleistung: 543W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58M50JU2
ab € 29,42*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 43A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 270A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 43A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Verlustleistung: 543W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58M50JU3
ab € 29,59*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 29A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 160A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP3F Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 29A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Verlustleistung: 250W Elek...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTC60HM70BT3G
ab € 98,58*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 30A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 120A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Verlustleistung: 290W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40N60JCU2
ab € 26,00*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 38A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 130A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Verlustleistung: 290W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50N60JCCU2
ab € 39,60*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP3F Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Verlustleistung: 250W Elek...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTCV60HM45BT3G
ab € 101,26*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; 500W; 165nC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-B-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Verlustleistung: 500W Polarisierung: ...
IXYS
VUM33-06PH
ab € 51,90*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 70A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 260A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP3F Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Verlustleistung: 462W Elek...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTC60DHM24T3G
ab € 106,91*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 72A; SP4; Steckverbinder FASTON (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 72A Widerstand im Leitungszustand: 35mΩ Verlustleistung: 416W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTC60AM35SCTG
ab € 126,31*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; Idm: 447A (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Gehäuse: PIM20 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 149A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Verlustleistung: 352W Elektrische Monta...
onsemi
NXH020U90MNF2PTG
ab € 199,06*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; -100V; -210A; SOT227B; schraubbar (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -210A Widerstand im Leitungszustand: 7,5mΩ Verlust...
IXYS
IXTN210P10T
ab € 34,57*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; -200V; -106A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: -200V Drainstrom: -106A Widerstand im Leitungszustand: 30mΩ Verlustl...
IXYS
IXTN120P20T
ab € 41,05*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; -500V; -40A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 477ns Drain-Source Spannung: -500V Drainstrom: -40A Widerstand im Leitungszustand: 0,23Ω Verlustl...
IXYS
IXTN40P50P
ab € 25,81*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; -600V; -32A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 480ns Drain-Source Spannung: -600V Drainstrom: -32A Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω Verlustl...
IXYS
IXTN32P60P
ab € 28,72*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,1kV; 34A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXFN40N110P
ab € 33,99*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,1kV; 35A; SOT227B; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXFN40N110Q3
ab € 31,18*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 110A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszu...
DACO Semiconductor
DACMI160N1200
ab € 125,38*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 125A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 125A Widerstand im Leitungszu...
DACO Semiconductor
DACMI200N1200
ab € 306,16*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 12A; ISOTOP; schraubbar; 545W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 530mΩ Verlustleistung: 5...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT19M120J
ab € 45,36*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 12A; ISOTOP; schraubbar; 545W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,58Ω Verlustleistung: 5...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT17F120J
ab € 32,55*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 15A; ISOTOP; schraubbar; 450W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω Verlustleistung: 45...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12080JVFR
ab € 48,14*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 15A; SOT227B; schraubbar; 540W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1,83µs Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 0,9Ω Verlustle...
IXYS
IXTN17N120L
ab € 49,49*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 17A; ISOTOP; schraubbar; 463W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 17A Widerstand im Leitungszustand: 670mΩ Verlustleistung: 4...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12067JFLL
ab € 45,53*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 19A; ISOTOP; schraubbar; 520W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 19A Widerstand im Leitungszustand: 570mΩ Verlustleistung: 5...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12057JFLL
ab € 67,10*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 20A; SOT227B; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 570mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN20N120P
ab € 35,58*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 21,5A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 21,5A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Polarisierung: unipolar Elektrisc...
IXYS
IXFN27N120SK
ab € 40,75*
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