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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.657 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 108A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 520W ...
1
IXYS
MMIX1F210N30P3
ab € 35,51*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 0,36Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 330W...
1
IXYS
IXFA16N50P3
ab € 2,64*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 63A Widerstand im Leitungszustand: 43mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 520W P...
1
IXYS
MMIX1F132N50P3
ab € 35,88*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO252 Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 4A Widerstand im Leitungszustand: 2,4Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 114W P...
1
IXYS
IXFY4N60P3
ab € 0,69*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 130ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 15mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480W...
1
IXYS
IXTT110N10P
ab € 4,54*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 120ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 140A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 600W...
1
IXYS
IXTT140N10P
ab € 5,82*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 120ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 75A Widerstand im Leitungszustand: 25mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W ...
1
IXYS
IXTA75N10P
ab € 2,46*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 600W...
1
IXYS
IXFT120N15P
ab € 6,02*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 62A Widerstand im Leitungszustand: 40mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 350W ...
1
IXYS
IXTA62N15P
ab € 2,46*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 96A; 480W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 96A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480W ...
1
IXYS
IXTT96N15P
ab € 4,43*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W ...
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IXYS
IXTA50N20P
ab € 2,47*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 74A; 480W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 160ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 74A Widerstand im Leitungszustand: 34mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480W ...
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IXYS
IXTT74N20P
ab € 4,38*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 42A; 300W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 84mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W ...
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IXYS
IXTA42N25P
ab € 2,46*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 64A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 400W ...
1
IXYS
IXTT64N25P
ab € 4,43*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO268 (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Montage...
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IXYS
IXTT82N25P
ab € 7,43*
pro Stück
 
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