N-Kanal-Transistoren SMD Diodes Vishay bei Mercateo günstig kaufen

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Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 1,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 34,7W Pol...

Vishay

SIRC16DP-T1-GE3

ab € 0,75*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 18A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 17,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 17,7W...

Vishay

SIS780DN-T1-GE3

ab € 0,32*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 2,86mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 36W P...

Vishay

SISS64DN-T1-GE3

ab € 0,73*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 29,6W Po...

Vishay

SISC06DN-T1-GE3

ab € 0,334*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42,1W (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 145,4A Widerstand im Leitungszustand: 2,01mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 42...

Vishay

SISS60DN-T1-GE3

ab € 0,535*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42,1W (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 142,6A Widerstand im Leitungszustand: 2,19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 42...

Vishay

SISS66DN-T1-GE3

ab € 0,55*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 27,5W Pol...

Vishay

SIRC10DP-T1-GE3

ab € 0,331*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 1,54mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 34,7W Po...

Vishay

SIRC18DP-T1-GE3

ab € 0,72*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 32W Polaris...

Vishay

SIRC06DP-T1-GE3

ab € 0,334*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 19,5A; 33W (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 19,5A Widerstand im Leitungszustand: 54,1/51,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Ver...

Vishay

SIZ270DT-T1-GE3

ab € 0,537*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16/35A; 27/48W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 16/35A Widerstand im Leitungszustand: 9/4,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 27/48W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ710DT-T1-GE3

ab € 2.469,69*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4,5A; Idm: 15A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 63mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 7,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...

Vishay

SIA906EDJ-T1-GE3

ab € 0,191*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4,5A; Idm: 20A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TSSOP8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 43mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1W Polarisierung: unipol...

Vishay

SI6926ADQ-T1-GE3

ab € 0,47*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 515mA; 280mW (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SC89;SOT563 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 515mA Widerstand im Leitungszustand: 1,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,28W Polarisieru...

Vishay

SI1024X-T1-GE3

ab € 0,22*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30/40A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 30/40A Widerstand im Leitungszustand: 12,7/6,58mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unipola...

Vishay

SIZ320DT-T1-GE3

ab € 1.374,93*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30A; Idm: 100A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...

Vishay

SIZ322DT-T1-GE3

ab € 0,349*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40/60A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 40/60A Widerstand im Leitungszustand: 7,9/3,35mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20,2/40W Polarisierung: unipolar...

Vishay

SIZ926DT-T1-GE3

ab € 0,482*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12/16A; 20/30W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12/16A Widerstand im Leitungszustand: 30/17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20/30W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ704DT-T1-GE3

ab € 2.190,96*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12/16A; 20/33W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12/16A Widerstand im Leitungszustand: 30/17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20/33W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ904DT-T1-GE3

ab € 6,83*
pro 10 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16/28A (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 16/28A Widerstand im Leitungszustand: 14,5/4,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 29/100W Polarisierung: unipolar ...

Vishay

SIZ918DT-T1-GE3

ab € 0,637*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 14,5/8,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 29/66W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ902DT-T1-GE3

ab € 2.617,62*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28/11A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 28/11A Widerstand im Leitungszustand: 16,5/32mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 31/16,7W Polarisierung: unipolar ...

Vishay

SIZ300DT-T1-GE3

ab € 1.955,73*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30/40A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 30/40A Widerstand im Leitungszustand: 13,7/7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unipolar V...

Vishay

SIZ340DT-T1-GE3

ab € 0,276*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 100A (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 10,19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpacku...

Vishay

SIZ348DT-T1-GE3

ab € 0,40*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 100A (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 9,44mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpackun...

Vishay

SIZ350DT-T1-GE3

ab € 0,40*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33,4/69,7A (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 33,4/69,7A Widerstand im Leitungszustand: 14,4/6,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unip...

Vishay

SIZ340ADT-T1-GE3

ab € 0,42*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33,4A; 16,7W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 33,4A Widerstand im Leitungszustand: 14,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpack...

Vishay

SIZ342ADT-T1-GE3

ab € 1.245,42*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 36/69,3A (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 36/69,3A Widerstand im Leitungszustand: 14,03/6,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unipo...

Vishay

SIZ340BDT-T1-GE3

ab € 0,223*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4,5A; Idm: 15A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 77mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 7,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...

Vishay

SIA918EDJ-T1-GE3

ab € 0,136*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4,5A; Idm: 30A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 7,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...

Vishay

SIA928DJ-T1-GE3

ab € 669,03*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 61A; Idm: 130A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 61A Widerstand im Leitungszustand: 7,7/7,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Verpacku...

Vishay

SIZ200DT-T1-GE3

ab € 0,361*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 21mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 3,9W Polarisierung: unipolar ...

Vishay

SQ4282EY-T1_BE3

ab € 2.707,425*
pro 2.500 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 15,6W Polarisierun...

Vishay

SI7288DP-T1-GE3

ab € 0,69*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 38A; Idm: 80A (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 18,87/18,11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ250DT-T1-GE3

ab € 0,507*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 70V; 31,8A; Idm: 60A (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 70V Drainstrom: 31,8A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Verpackungs...

Vishay

SIZ256DT-T1-GE3

ab € 0,435*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2,8A; 1W; SOT223 (2 Angebote)

Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT223 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1W Polarisieru...

Diodes

ZXMS6006SGTA

ab € 0,57*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2A; 1,3W; SOT223 (2 Angebote)

Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT223 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 0,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,3W Polarisieru...

Diodes

ZXMS6005DGTA

ab € 0,44*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 125V; 24,8A; Idm: 50A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 125V Drainstrom: 24,8A Widerstand im Leitungszustand: 29,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42,1W Polaris...

Vishay

SISS70DN-T1-GE3

ab € 0,71*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 150V; 16A; Idm: 50A; 33W (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 85mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33W Polarisierung...

Vishay

SIS888DN-T1-GE3

ab € 0,563*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 150V; 20,4A; Idm: 50A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 20,4A Widerstand im Leitungszustand: 42mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42,1W Polarisie...

Vishay

SISS72DN-T1-GE3

ab € 0,693*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 200V; 11,2A; Idm: 30A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 11,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisier...

Vishay

SISS98DN-T1-GE3

ab € 0,79*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 200V; 15,6A; Idm: 25A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 15,6A Widerstand im Leitungszustand: 78mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42,1W Polarisie...

Vishay

SISS94DN-T1-GE3

ab € 0,49*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 250V; 9,9A; Idm: 20A (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 9,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,19Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42,1W Polarisie...

Vishay

SISS92DN-T1-GE3

ab € 0,418*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 1,5A; Idm: 6A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,25W Polarisierung: unipo...

Vishay

SI2328DS-T1-E3

ab € 0,34*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 1,6A; Idm: 2,5A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1,6A Widerstand im Leitungszustand: 720mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2W Polarisierung: unipolar...

Vishay

SQ2398ES-T1_GE3

ab € 0,27*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 102A; Idm: 350A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 102A Widerstand im Leitungszustand: 4,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 84W Polarisierung:...

Vishay

SIRS700DP-T1-RE3

ab € 2,71*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 104A; Idm: 200A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 104A Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...

Vishay

SIDR668ADP-T1-RE3

ab € 4.508,49*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 11,4A; Idm: 20A (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 11,4A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 15W Polarisieru...

Vishay

SIS110DN-T1-GE3

ab € 0,21*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 110A; Idm: 300A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 5,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...

Vishay

SIR5102DP-T1-RE3

ab € 5.067,45*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO263-7 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 4,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 375W Polarisierung: unip...

Vishay

SUM70040M-GE3

ab € 1.619,184*
pro 800 Stück

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