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  IGBT-Module (1.135 Artikel)

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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 47A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 47A Kollektorstrom i...
1
Microchip Technology
APT47GA60JD40
€ 51,25*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 52A Kollektorstrom im Impuls: 360A V...
1
IXYS
IXGN72N60C3H1
€ 45,89*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom i...
1
Microchip Technology
APT60GA60JD60
€ 51,90*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom i...
1
Microchip Technology
APT65GP60J
€ 57,22*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom i...
1
Microchip Technology
APT65GP60JDQ2
€ 59,79*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 68A Kollektorstrom i...
1
Microchip Technology
APT80GP60J
€ 65,29*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 68A Kollektorstrom i...
1
Microchip Technology
APT80GP60JDQ3
€ 65,20*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 98A Kollektorstrom im Impuls: 440A V...
1
IXYS
IXXN100N60B3H1
€ 51,08*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 98A Kollektorstrom im Impuls: 1kA Ve...
1
IXYS
IXXN200N60B3H1
€ 53,93*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 98A Kollektorstrom im Impuls: 1kA Ve...
1
IXYS
IXXN200N60C3H1
€ 49,96*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Impuls: 490A V...
1
IXYS
IXYN100N65B3D1
€ 42,47*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Impuls: 470A V...
1
IXYS
IXXN110N65C4H1
€ 42,97*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Impuls: 650A V...
1
IXYS
IXXN110N65B4H1
€ 42,99*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Impuls: 360A Ve...
1
IXYS
IXYN75N65C3D1
€ 40,62*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 90A Kollektorstrom im Impuls: 420A Ve...
1
IXYS
IXYN100N65C3H1
€ 34,33*
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