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  IGBT-Module (1.135 Artikel)

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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 123A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 123A Kollektorstrom ...
Microchip Technology
APT150GN60J
k.A.
€ 51,92*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 123A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 123A Kollektorstrom ...
Microchip Technology
APT150GN60JDQ4
k.A.
€ 61,63*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 140A Kollektorstrom im Impuls: 750A ...
IXYS
IXYN150N60B3
k.A.
€ 57,12*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Gehäuse: ISOTOP Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im ...
ST Microelectronics
STGE200NB60S
k.A.
€ 37,55*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 158A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 158A Kollektorstrom ...
Microchip Technology
APT200GN60JDQ4
k.A.
€ 74,18*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 158A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 158A Kollektorstrom ...
Microchip Technology
APT200GN60J
k.A.
€ 58,69*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 160A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 160A Kollektorstrom im Impuls: 1kA V...
IXYS
IXXN200N60B3
k.A.
€ 48,50*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 170A Kollektorstrom im Impuls: 1,2kA...
IXYS
IXGN320N60A3
k.A.
€ 43,28*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 190A Kollektorstrom im Impuls: 800A ...
IXYS
IXGN400N60A3
k.A.
€ 68,78*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im Impuls: 1,2kA...
IXYS
IXGN200N60B3
k.A.
€ 58,73*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im Impuls: 1,5kA...
IXYS
IXGN400N60B3
k.A.
€ 68,90*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 40A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT40GP60JDQ2
k.A.
€ 63,08*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 40A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT40GP60J
k.A.
€ 48,88*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 46A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 46A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT50GP60JDQ2
k.A.
€ 51,66*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 46A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 46A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT50GP60J
k.A.
€ 51,47*
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