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  IGBT-Module (1.135 Artikel)

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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 42A; SOT227B (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXBN75N170A
k.A.
€ 79,30*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 50A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im Impuls: 485A V...
IXYS
IXYN50N170CV1
k.A.
€ 80,66*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 600A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM800GA176D 22890435
k.A.
€ 437,62*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Impuls: 680A V...
IXYS
IXBN75N170
k.A.
€ 117,06*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 775A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 775A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA17E4 22895080
k.A.
€ 309,87*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 95A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 95A Kollektorstrom im Impuls: 600A V...
IXYS
IXGN100N170
k.A.
€ 85,01*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 4,5kV; Ic: 1,3kA; STAKPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1,3kA Kollektorstrom im Impuls: 2,6kA...
ABB
5SNA 1300K450300
k.A.
€ 5.985,73*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 4,5kV; Ic: 2kA; STAKPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 2kA Kollektorstrom im Impuls: 4kA Ele...
ABB
5SNA 2000K452300
k.A.
€ 5.538,41*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 4,5kV; Ic: 2kA; STAKPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 2kA Kollektorstrom im Impuls: 4kA Ele...
ABB
5SNA 2000K450300
k.A.
€ 8.540,30*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 4,5kV; Ic: 2kA; STAKPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 2kA Kollektorstrom im Impuls: 4kA Ele...
ABB
5SNA 2000K451300
k.A.
€ 7.607,42*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 4,5kV; Ic: 3kA; STAKPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 3kA Kollektorstrom im Impuls: 6kA Ele...
ABB
5SNA 3000K452300
k.A.
€ 8.304,06*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 4,5kV; Ic: 3kA; STAKPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 3kA Kollektorstrom im Impuls: 6kA Ele...
ABB
5SMA 3000L450300
k.A.
€ 6.133,56*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 5,2kV; Ic: 2kA; STAKPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 5,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 2kA Kollektorstrom im Impuls: 4kA Ele...
ABB
5SJA 2000L520301
k.A.
€ 6.996,23*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 5,2kV; Ic: 3kA; STAKPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 5,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 3kA Kollektorstrom im Impuls: 6kA Ele...
ABB
5SJA 3000L520300
k.A.
€ 10.083,01*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 100A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom ...
Microchip Technology
APT200GT60JR
k.A.
€ 73,69*
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