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  IGBT-Module (1.135 Artikel)

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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 80A; SOT227B (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 80A Kollektorstrom im Impuls: 170A...
2
Vishay
VS-GT80DA120U
€ 30,24*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 84A; SOT227B (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 84A Kollektorstrom im Impuls: 460A V...
2
IXYS
IXYN100N120C3
€ 37,45*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 85A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 85A Kollektorstrom i...
1
Microchip Technology
APT85GR120J
€ 55,40*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 85A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 85A Kollektorstrom i...
1
Microchip Technology
APT85GR120JD60
€ 64,03*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 86A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 86A Elektrische Montage: schraubbar Mechanische Montage: schraubba...
1
IXYS
IXG70IF1200NA
€ 35,53*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 900A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 900A Kollektorstrom i...
1
SEMIKRON DANFOSS
SKM900GA12E4 22892130
€ 403,83*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 900A; 4,3kW (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MMES Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 900A Kollektorstr...
3
Infineon
FZ900R12KE4HOSA1
€ 148,22*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 90A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 90A Kollektorstrom i...
1
Microchip Technology
APT150GT120JR
€ 97,42*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 99A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 99A Kollektorstrom i...
1
Microchip Technology
APT150GN120J
€ 52,35*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 99A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 99A Kollektorstrom i...
1
Microchip Technology
APT150GN120JDQ4
€ 104,04*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 160A Kollektorstrom im Impuls: 1,05k...
1
IXYS
IXGN200N170
€ 96,24*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 21A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 21A Kollektorstrom im Impuls: 265A V...
1
IXYS
IXBN42N170A
€ 47,73*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 30A; SOT227B (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 30A Kollektorstrom im Impuls: 275A V...
2
IXYS
IXYN30N170CV1
€ 34,06*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 400A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom i...
1
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA176D 22890432
€ 370,16*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 400A; 2,5kW (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MMES Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstr...
1
Infineon
FZ400R17KE4HOSA1
€ 220,15*
pro Stück
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