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  IGBT-Module (1.135 Artikel)

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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; GJ-UZ (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: GJ-UZ Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 50A Anwendung: Motoren;Wechselrichter Elektrische Mont...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG50UZ12GJ
k.A.
€ 32,42*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im Impuls: 240A V...
IXYS
IXGN50N120C3H1
k.A.
€ 52,16*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT50GR120JD30
k.A.
€ 57,31*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 56A; SOT227B (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 56A Kollektorstrom im Impuls: 150A V...
IXYS
IXA60IF1200NA
k.A.
€ 47,33*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 57A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT75GN120JDQ3
k.A.
€ 72,90*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 57A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT75GT120JRDQ3
k.A.
€ 72,89*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 57A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT75GP120JDQ3
k.A.
€ 67,08*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 57A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT75GP120J
k.A.
€ 69,12*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA12E4 22892114
k.A.
€ 322,70*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM800GA125D 03071 21915710
k.A.
€ 685,02*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA12V 22892113
k.A.
€ 354,53*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA12T4 22892110
k.A.
€ 324,51*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM800GA126D 22890405
k.A.
€ 415,39*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; AG-62MM (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom...
Infineon
FZ600R12KE3HOSA1
k.A.
€ 171,82*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; IGBTMOD™ (1 Angebot) 
Hersteller: POWEREX Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom im Impuls: 1,2kA Elektrische M...
Powerex
CM600HB-24A
k.A.
€ 200,51*
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