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  IGBT-Module (1.135 Artikel)

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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Gehäuse: INT-A-Pak Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 144A Kollektorstrom im Impuls: 4...
Vishay
VS-GT200TS065N
k.A.
€ 79,99*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 26GB07E3V1 25240715
k.A.
€ 218,38*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SP3F Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 120A Kollektorstrom im ...
Microchip Technology
APTGTQ200A65T3G
k.A.
€ 142,77*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Gehäuse: ACEPACK SMIT Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 68A Kollektorstro...
ST Microelectronics
STGSH80HB65DAG
k.A.
€ 26,24*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Gehäuse: INT-A-Pak Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 185A Kollektorstrom im Impuls: 6...
Vishay
VS-GT100TS065S
k.A.
€ 73,33*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM195GB07E3 22895610
k.A.
€ 136,97*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GB07E3 22895570
k.A.
€ 408,97*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 3 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 38GB07E3V1 25240719
k.A.
€ 322,70*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SimBus F Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 490A Kollektorstrom im Impuls: 1,2k...
IXYS
MIXA600PF650TSF
k.A.
€ 141,28*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GB07E3 22895550
k.A.
€ 313,33*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Gehäuse: INT-A-Pak Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 280A Kollektorstrom im Impuls: 7...
Vishay
VS-GT150TS065S
k.A.
€ 86,70*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Gehäuse: INT-A-Pak Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 378A Kollektorstrom im Impuls: 8...
Vishay
VS-GT200TS065S
k.A.
€ 100,61*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT x2,NTC Thermistor; SP3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SP3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im ...
Microchip Technology
APTGT100A120T3AG
k.A.
€ 144,09*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT x2; Urmax: 1,7kV; Ic: 800A (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 800A Kollektorstrom im Impuls: 1,6kA E...
ABB
5SND 0800M170100
k.A.
€ 1.386,74*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT x2; Urmax: 3,3kV; Ic: 500A (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 500A Kollektorstrom im Impuls: 1kA Ele...
ABB
5SND 0500N330300
k.A.
€ 1.692,07*
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