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  IGBT-Module (1.135 Artikel)

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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONOD-3 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektor...
Infineon
FF450R06ME3
k.A.
€ 271,56*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: package S Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impuls: 30...
IXYS
MG06150S-BN4MM
k.A.
€ 131,68*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: HW9434 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im...
DACO Semiconductor
DAGNH200600
k.A.
€ 76,46*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (2 Angebote) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom ...
SEMIKRON DANFOSS
SKM195GB066D
k.A.
€ 106,45*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: HW9434 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im...
DACO Semiconductor
DAGNH100600
k.A.
€ 55,84*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom ...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GB066D 21915620
k.A.
€ 406,76*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITOP3 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im ...
SEMIKRON DANFOSS
SK 75 GB 066 T 24914980
k.A.
€ 136,89*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom ...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GB066D 22890058
k.A.
€ 306,69*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 83A Kollektorstrom im Impuls:...
Powersem
PSI 130/06
k.A.
€ 50,61*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SP6 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom im ...
Microchip Technology
APTGT600A60G
k.A.
€ 422,17*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom ...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GB066D 21915520
k.A.
€ 276,57*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GB07E3 22895580
k.A.
€ 279,77*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24GB07E3V1 25240713
k.A.
€ 179,51*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Gehäuse: INT-A-Pak Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 72A Kollektorstrom im Impuls: 24...
Vishay
VS-GT100TS065N
k.A.
€ 63,84*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: C1 34mm Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstro...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50HFX65C1S
k.A.
€ 48,87*
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