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  IGBT-Module (1.135 Artikel)

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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX®33c Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GD176HDC 27890435
k.A.
€ 2.139,71*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX®33c Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX703GD126HDC 27890735
k.A.
€ 2.402,48*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 5 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX205GD12E4 21919530
k.A.
€ 1.029,48*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX®13 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GD066HDS 27891210
k.A.
€ 514,75*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX®13 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX201GD066HDS 27891220
k.A.
€ 610,42*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX®13 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GD12E4S 27890200
k.A.
€ 472,71*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX®13 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX101GD066HDS 27891200
k.A.
€ 426,55*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX®33c Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX503GD126HDC 27890740
k.A.
€ 1.884,48*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: package W Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impuls: 30...
IXYS
MG12150W-XN2MM
k.A.
€ 330,01*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 1kW (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO3-4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektor...
Infineon
FS200R12KT4RB11BOSA1
k.A.
€ 155,91*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 500W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E3-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 108A Kollektorstrom im Impuls: 300A...
IXYS
MIXA100W1200TEH
k.A.
€ 201,66*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 630W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E3-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 128A Kollektorstrom im Impuls: 200A...
IXYS
MIEB101W1200EH
k.A.
€ 240,44*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 640W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E3-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Impuls: 200A...
IXYS
MWI100-12A8
k.A.
€ 310,81*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 675W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E3-Pack Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 115A Kollektorstrom im Impuls: 400A...
IXYS
MWI200-06A8
k.A.
€ 197,45*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 690W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E3-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impuls: 300A...
IXYS
MWI150-12T8T
k.A.
€ 347,71*
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