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  IGBT-Module (1.135 Artikel)

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO2C Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 30A Kollektorstrom i...
Infineon
FP30R06KE3BPSA1
k.A.
€ 99,28*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 35A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 35A Kollektorstrom im Impuls: 60A Anwend...
IXYS
MUBW30-06A7
k.A.
€ 83,57*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E3-Pack Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im Impuls: 100A Anwen...
IXYS
MUBW50-06A8
k.A.
€ 86,36*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY2B-2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom ...
Infineon
FP50R06W2E3B11BOMA1
k.A.
€ 79,25*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 63A (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 63A Kollektorstrom im Impuls: 150A...
Powersem
PSIS 100/06
k.A.
€ 33,02*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 65A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E3-Pack Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 65A Kollektorstrom im Impuls: 150A Anwen...
IXYS
MUBW75-06A8
k.A.
€ 130,72*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 83A (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 83A Kollektorstrom im Impuls: 200A...
Powersem
PSIS 130/06
k.A.
€ 34,80*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 85A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E3-Pack Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 85A Kollektorstrom im Impuls: 200A Anwen...
IXYS
MUBW100-06A8
k.A.
€ 123,31*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 8A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E1-Pack Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 8A Kollektorstrom im Impuls: 18A Anwendu...
IXYS
MUBW10-06A6K
k.A.
€ 35,24*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Im...
Microchip Technology
APT100GLQ65JU3
k.A.
€ 35,85*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 200A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SKM195GAR07E3 22895630
k.A.
€ 102,06*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 300A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GAR07E3 22895600
k.A.
€ 207,25*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 400A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAR07E3 22895554
k.A.
€ 239,22*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck-boost chopper; Urmax: 3,3kV (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-IHVB190 Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1kA Kollektorstrom i...
Infineon
FD1000R33HE3KBPSA1
k.A.
€ 2.581,01*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck-boost chopper; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS5 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GARL066T 21915370
k.A.
€ 429,76*
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