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  IGBT-Module (1.136 Artikel)

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIPONT6 Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SKD 116/16-L105 07916610
k.A.
€ 524,74*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 1 Leistung: 5,5kW Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kol...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 12NAB12T4V1 25231440
k.A.
€ 54,62*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 50A (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO2B Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom i...
Infineon
DDB6U104N16RRBPSA1
k.A.
€ 101,38*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 50A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im...
Infineon
DDB6U50N16W1RBPSA1
k.A.
€ 22,94*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 50A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im...
Infineon
DDB6U75N16W1RBOMA1
k.A.
€ 35,00*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 70A (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO2B Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 70A Kollektorstrom i...
Infineon
DDB6U134N16RRBPSA1
k.A.
€ 96,89*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 80A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIPONT6 Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 80A Kollektorstrom im Impu...
SEMIKRON DANFOSS
SKD 146/16-L105 07916630
k.A.
€ 566,53*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 88A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 88A Kollektorstrom im I...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 28ANB16V1 25230160
k.A.
€ 206,62*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GAL17E4 22895100
k.A.
€ 74,90*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAL176D 21915590
k.A.
€ 399,08*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GAL176D 22890514
k.A.
€ 238,06*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM145GAL176D 22890510
k.A.
€ 131,60*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 135A Kollektorstrom im Impuls: 280A Elek...
IXYS
MDNA360UB2200PTED
k.A.
€ 310,22*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS9 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAL176DL3 21919990
k.A.
€ 840,06*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Impuls: 200A Elek...
IXYS
MDNA210UB2200PTED
k.A.
€ 208,51*
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