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  IGBT-Module (1.136 Artikel)

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 8A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 1 Leistung: 4kW Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 8A Kollek...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 11NAB12T4V1 25231580
k.A.
€ 117,04*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 90A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y4-M5 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 90A Kollektorstrom im Impuls: 150A Anwendu...
IXYS
MID100-12A3
k.A.
€ 75,40*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 94A (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 94A Kollektorstrom im Impuls: 150A...
Powersem
PSSI 100/12
k.A.
€ 57,21*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; THT (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 117A Kollektorstrom im Impuls: 200...
Powersem
PSSI 160/12
k.A.
€ 57,29*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; X2PT (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack PFP Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 250A Elektrische Montage: Press-Fit Mechanische Montage: schraubba...
IXYS
MIXG240RF1200PTED
k.A.
€ 90,49*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; XPT™ (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E3-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 190A Elektrische Montage: Press-in PCB Mechanische Montage: schraubbar...
IXYS
MIXA61WB1200TEH
k.A.
€ 163,64*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Y3-DCB (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 460A Kollektorstrom im Impuls: 800A Anwen...
IXYS
MID550-12A4
k.A.
€ 294,27*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Y3-DCB (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 120A Kollektorstrom im Impuls: 200A Anwen...
IXYS
MID150-12A4
k.A.
€ 193,69*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Y3-DCB (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 220A Kollektorstrom im Impuls: 400A Anwen...
IXYS
MID300-12A4
k.A.
€ 222,85*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Y3-DCB (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 180A Kollektorstrom im Impuls: 360A Anwen...
IXYS
MID200-12A4
k.A.
€ 193,11*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Y4-M5 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y4-M5 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Impuls: 200A Anwend...
IXYS
MID145-12A3
k.A.
€ 83,43*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 6p Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Anwendung: für UPS;Wechselrichter;Photovoltaik Elek...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX186DGL16P 27896200
k.A.
€ 503,67*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIPONT6 Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SKD 146/16-L140 07912810
k.A.
€ 623,58*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIPONT6 Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 120A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SKD 116/16-L140 07916650
k.A.
€ 550,50*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIPONT6 Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 120A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SKD 146/16-L140 T4 07916670
k.A.
€ 595,42*
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