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  IGBT-Module (11 Artikel)

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: P2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Impuls: 2...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG10P12P2
€ 22,88*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: P2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Impuls: 3...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG15P12P2
€ 28,02*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 25A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: P3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom im Impuls: 5...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG25P12P3
€ 37,47*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: P3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 35A Kollektorstrom im Impuls: 7...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG35P12P3
€ 46,25*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: C2 62mm Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom i...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG200HF12MRC2
€ 78,04*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: C1 34mm Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom i...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG100HF12MRC1
€ 44,52*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A; GJ-UZ (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: GJ-UZ Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im I...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG100UZ12GJ
€ 32,50*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; GJ-U (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: GJ-U Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 50A Anwendung: Motoren;Wechselrichter Elektrische Monta...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG50U12GJ
€ 32,48*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; GJ-UZ (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: GJ-UZ Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 50A Anwendung: Motoren;Wechselrichter Elektrische Mont...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG50UZ12GJ
€ 32,42*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A; GJ-U (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: GJ-U Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Imp...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG75U12GJ
€ 32,50*
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