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  IGBT-Module (54 Artikel)

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; 1-Phasendiodenbrücke; Urmax: 600V (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-1 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 30A Kollektorstrom ...
Infineon
FB30R06W1E3BOMA1
k.A.
€ 40,90*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO4-1 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom ...
Infineon
F3L300R07PE4
k.A.
€ 261,86*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 1,2kV (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom ...
Infineon
FP15R12W1T4_B3
k.A.
€ 35,46*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 6A Kollektorstrom i...
Infineon
FP06R12W1T4B3BOMA1
k.A.
€ 50,43*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 1,2kV (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom ...
Infineon
FP10R12W1T7B11BOMA1
k.A.
€ 26,87*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; 1,47kW (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom i...
Infineon
FD300R12KE3HOSA1
k.A.
€ 249,66*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 50A (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO2B Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom i...
Infineon
DDB6U104N16RRBPSA1
k.A.
€ 101,38*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 50A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im...
Infineon
DDB6U50N16W1RBPSA1
k.A.
€ 22,94*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 50A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im...
Infineon
DDB6U75N16W1RBOMA1
k.A.
€ 35,00*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 70A (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO2B Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 70A Kollektorstrom i...
Infineon
DDB6U134N16RRBPSA1
k.A.
€ 97,15*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 300A (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM-1 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom i...
Infineon
FD300R06KE3HOSA1
k.A.
€ 111,79*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO3-3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom...
Infineon
FP100R12KT4B11BOSA1
k.A.
€ 158,17*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 25A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom ...
Infineon
FP25R12W1T7B11BPSA1
k.A.
€ 35,63*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom i...
Infineon
DF400R12KE3HOSA1
k.A.
€ 199,01*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 40A (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO2-5 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom ...
Infineon
FP40R12KT3BOSA1
k.A.
€ 175,66*
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